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电子元器件详细资料 » IC[28399] » MUN5113DW1T1G
型号:MUN5113DW1T1G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22247k
电阻器_发射极(R2)111欧22247k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装Digi-Reel®

供应商

深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市展鹏富裕科技有限公司陈丹0755-82573702
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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